Метка: быстродействие
Массовое производство интегральных подсистем
Выполнение межсхемных соединений интегральных структур на самой кремниевой пластине не только повысит надежность, но и позволит при той же рассеиваемой мощности получить большее быстродействие, так как оно будет сопровождаться уменьшением…
Диоды
Время переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде.
Схемы 200-й серии
Параметр р представляет собой коэффициент отношения сопротивления резистора, включенного в коллекторную цепь транзистора Т2, к полному сопротивлению входного резистора R. Применение транзистора Т2 с коллектором, подсоединенным к отводу входного сопротивления,…