Это позволяет выбрать коллекторные и базовые напряжения входных транзисторов Т4, Тъ, Тв и коллекторное напряжение транзистора Т3 такими, чтобы они работали в активной области и не входили в насыщение. Эмиттерные повторители на транзисторах Тх и Т2 также никогда не входят в насыщение, поскольку напряжение на базах этих транзисторов всегда получается более отрицательным, чем напряжение на их коллекторах, и коллекторно-базовый переход никогда не оказывается смещенным в прямом направлении.
Однако в переходных режимах, особенно при больших нагрузочных емкостях на выходе, транзисторы эмиттерных повторителей могут запираться, в результате чего выходной импеданс клапана возрастает и станет равным сопротивлению резистора R3, включенного в эмиттерной цепи, а задержка распространения увеличится.
Чтобы этого не произошло, максимальное допустимое разветвление на выходе клапана выбирается не из условий поведения схемы на постоянном токе, а из условий получения такой емкостной нагрузки, которая не будет оказывать заметного влияния на быстродействие схемы.
Для цифровых интегральных схем ТЛЭС 300-й серии фирмы Motorola напряжение питания UK составляет +5,2 в, а напряжение источника смещения составляет примерно +4,05 в. Тогда, если величины сопротивлений резисторов клапана ТЛЭС равны Яэ = 2 ком, R = 1,24 ком, RKi = = 270 ом и RK2 = 300 ом, уровень напряжения логического 0 получается равным около +3,65 в, а уровень напряжения логической 1 — около +4,45 в. Область передаточных характеристик клапана ТЛЭС, получающаяся в результате разброса параметров и температурных изменений.