Важнейшими из них являются: 1) возможность широкого применения масок; 2) возможность одновременного изготовления большого количества интегральных схем (доходящего до нескольких сотен); 3) возможность изготовления сложных интегральных схем, содержащих десятки и сотни интегральных компонентов. Таким образом, планарная технология является технологией массового производства, обеспечивающей получение недорогих высоконадежных интегральных микросхем.
Основные технологические процессы обеспечивают выращивание на поверхности подложек пленок из различных материалов, имеющих нужную толщину и свойства. Рассмотрим некоторые из этих процессов, наиболее широко применяемые в настоящее время.
Разложение паров.
При этом методе используются пары, содержащие химические соединения осаждаемых материалов. Эти пары смешиваются с другими газами и поступают в камеру, где выполняется покрытие.
Обычно применяются два метода осаждения: восстановление замещением и тепловое разложение. При использовании восстановления замещением для осаждения металлических пленок пары галоида металла смешивают с водородом и направляют в камеру для покрытия, где пропускают над нагретой подложкой.
Происходит реакция восстановления, в результате которой на подложке осаждается пленка металла.
Все остальные продукты реакции и не прореагировавшие вещества удаляют.