Конструктивно память сделана на 256 25-разрядных слов, но имеется тенденция к расширению ее до 1024 слов при общей потребляемой мощности 2,5 вт. Разработанный в настоящее время элемент на 16 дв. зн. с рассеиваемой мощностью 30 мет на двоичный знак усовершенствуется, чтобы иметь рассеиваемую мощность до 3 мет. Недостаток использования интегральных схем для памяти состоит в том, что такая память постоянно потребляет энергию для хранения и теряет информацию при отключении источников питания. Но этот недостаток не является значительным, так как память предполагается использовать как буферную. При отказах источников питания может быть использовано переключение на аккумуляторную батарею или на батарею конденсаторов, если отказ питания кратковременный.
Большим преимуществом памяти на интегральных схемах является то, что мощность возбуждения мала, а выходные сигналы значительны. Это позволяет очень компактно монтировать запоминающие ячейки, схемы управления и считывания.
Тем самым упрощаются проблемы межсоединений, обычно присущие запоминающим системам.
Запоминающий элемент фирмы Bunker-Ramo содержит три транзистора и три сопротивления и имеет два вывода: один вывод служит для селекции элемента при выборе данного слова, второй вывод является разрядной линией связи как при вводе информации, так и при ее выводе из данной ячейки.
Запоминающие элементы монтируются в плоском 12-штырьковом корпусе. На одном кристалле кремния при использовании тройной диффузии методом планарной технологии изготовляется 8 транзисторов.