Приведенные в этом разделе данные о запоминающих устройствах на дисках показывают, что ЗУД предоставляют для миниатюрных вычислительных машин наибольшие возможности как внешние запоминающие устройства большой емкости с малым потреблением энергии по сравнению с другими ЗУ на движущихся носителях запоминания. Очень интересным и весьма многообещающим направлением в микроминиатюризации ЗУ является построение запоминающих устройств полностью из микроэлектронных схем, причем и схемы управления, и сами запоминающие элементы изготовляются из полупроводников.
Ряд фирм США ведут серьезные разработки в этой области.
Фирма Bunker-Ramo анонсировала новую серию вычислительных машин, в которых в качестве буферного ЗУ предполагает использовать память на интегральных схемах.
Самым большим преимуществом использования в ЗУ интегральных схем для хранения цифровой информации является быстродействие. В настоящее время вполне достижимо время выбора при чтении или записи 100 нсек.
При этом создание такой памяти может быть произведено значительно быстрее, чем сравнимая память на тонких магнитных пленках. Стоимость одного двоичного знака на 1 нсек интегральной памяти ниже стоимости в тонкопленочной памяти сравнимых емкости и быстродействия.
Стоимость одного запоминающего элемента составляет в новой памяти 1-2 долл. и будет снижена до 0,6-1 долл.