Время, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин. При этом в структурах, насчитывающих много локальных областей и переходов, диффузия будет происходить во всех областях одновременно, что нужно учитывать при составлении расписания диффузий и разработке соответствующих приборов. Это явление ограничивает получение нескольких тонких легированных областей в одной полупроводниковой структуре.
Необходимо отметить также важную роль, которую играет диффузия золота, приводящая к уменьшению времени жизни неосновных носителей, что существенно для создания приборов с малым временем переключения. Однако золото является очень быстро диффундирующим элементом, что затрудняет получение локального легирования золотом, даже если вносить его на последнем этапе обработки.
В настоящее время диффузия является важнейшим основным технологическим процессом изготовления полупроводниковых областей при массовом производстве компонентов интегральных схем.
Главным недостатком, свойственным диффузии, является изменение концентрации примесей от изменения глубины и невозможность в результате этого получить очень четкие границы между областями с различными типами проводимостей.