Проводимость канала может модулироваться электрическим полем, образованным напряжением на металлическом затворе, изолированном от канала слоем двуокиси кремния. В отличие от плоскостного полевого транзистора, поле здесь может иметь любую полярность, при этом для одной полярности канал может быть сделан более узким (с обеднением), а при-другой полярности он получается более широким (с обогащением). Как и МОП транзисторы с обогащением, эти транзисторы также могут быть р — и л-типа.
Важнейшим свойством МОП транзисторов является исключительно высокое входное сопротивление, достигающее.
1015-101в ом, что объясняется хорошей изоляцией затвора слоем двуокиси кремния.
Однако по шумовым характеристикам и по стабильности МОП транзисторы уступают плоскостным полевым транзисторам, так как они сильно зависят от изменения поверхностного состояния кремния и от состояния двуокиси кремния. Высокое входное сопротивление МОП транзисторов позволяет создавать цифровые схемы с малым потреблением мощности и большим разветвлением на выходе, величина которого ограничивается только тем влиянием, которое добавочные входные емкости оказывают на быстродействие схемы.
Отличительной чертой МОП транзисторов с обогащением, является возможность создания инвертирующих каскадов при непосредственной связи между ними, не требующей никаких цепей сдвига уровня. Это свойство позволяет легко создавать всевозможные цифровые схемы, особенно при совместном использовании приборов р-и л-типов.