Применение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Для уменьшения величины этой паразитной емкости, убывающей с ростом напряжения, и обеспечения обратного смещения изолирующего р-п перехода на подложку р-типа должно подаваться наиболее отрицательное, а на подложку — типа — наиболее положительное напряжение.
Частотные характеристики интегрального транзистора улучшаются с уменьшением коллекторного сопротивления и паразитной емкости между коллектором и подложкой, поэтому интегральные планарные эпитаксиальные транзисторы с утопленным слоем, имеющие малое коллекторное сопротивление и малую паразитную емкость, являются достаточно высокочастотными приборами.
Эквивалентные схемы интегрального транзистора с изоляцией смещенным в обратном направлении р-п переходом. Транзистор представляет собой четырех — слойную структуру, в которой, помимо основного транзистора, существует еще и паразитный, образованный базой и коллектором основного транзистора и подложкой.
Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора — базой паразитного, а подложка — коллектором паразитного транзистора.