Метка: кремний
Компоненты интегральных схем
Малое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.
Материал и проводимость
Проводимость канала может модулироваться электрическим полем, образованным напряжением на металлическом затворе, изолированном от канала слоем двуокиси кремния.
Транзистор с обогащением
При подаче на затвор напряжения нужной полярности электрическое поле, возникающее в канале под слоем двуокиси кремния, индуцирует возле верхней поверхности кремниевой подложки заряд, в результате чего между истоком и стоком…
Время диффузии
Сопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые…