Оборудование

Компоненты интегральных схем

Компоненты интегральных схемМалое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.

Прочитать остальную часть записи »

Материал и проводимость

Материал и проводимостьПроводимость канала может модулироваться электрическим полем, образованным напряжением на металлическом затворе, изолированном от канала слоем двуокиси кремния. Прочитать остальную часть записи »

Транзистор с обогащением

Транзистор с обогащениемПри подаче на затвор напряжения нужной полярности электрическое поле, возникающее в канале под слоем двуокиси кремния, индуцирует возле верхней поверхности кремниевой подложки заряд, в результате чего между истоком и стоком возникает омическая цепь и начинает быстро нарастать ток. В зависимости от типа используемых основных носителей имеются МОП транзисторы р — и л-типа. Прочитать остальную часть записи »

Время диффузии

Время диффузииСопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые получаются при использовании двух предыдущих методов изоляции. Однако полная емкость получается не меньше, чем при методе трехкратной диффузии, что объясняется большой емкостью вдоль боковых сторон изолирующего р-п перехода, возникающей благодаря наличию сильно легированного p-f-слоя.

Прочитать остальную часть записи »