Оборудование

Массовое производство интегральных подсистем

Массовое производство интегральных подсистемВыполнение межсхемных соединений интегральных структур на самой кремниевой пластине не только повысит надежность, но и позволит при той же рассеиваемой мощности получить большее быстродействие, так как оно будет сопровождаться уменьшением паразитной емкости, к тому же такие соединения оказываются дешевле, чем межсхемные соединения, выполняемые обычными методами. По характеру применения схемы ЦВМ можно разделить на схемы устройства управления и арифметического устройства, схемы запоминающих устройств и схемы устройств ввода и вывода.

Прочитать остальную часть записи »

Диоды

ДиодыВремя переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде. Прочитать остальную часть записи »

Схемы 200-й серии

Схемы 200-й серииПараметр р представляет собой коэффициент отношения сопротивления резистора, включенного в коллекторную цепь транзистора Т2, к полному сопротивлению входного резистора R. Применение транзистора Т2 с коллектором, подсоединенным к отводу входного сопротивления, значительно повышает помехозащищенность, что особенно заметно в худшем случае, получающемся при -55° С, когда усиление инвертирующего транзистора Тх минимально. Прочитать остальную часть записи »