Признаки разрушения

Признаки разрушенияПри сверлении все отверстия имеют допуск + 75 мкм на смещение центров. Минимальное значение номинальной ширины проводников составляет 200 + 50 мкм на внутренних слоях и 300+ 100 мкм на внешних слоях. Диаметр минимального отверстия равен 450 + 75 мкм, что обеспечивает отношение диаметра отверстия к толщине законченной платы около 1/3. Толщина слоя осаждаемой меди около 25 мкм, осаждаемого золота около 2,5 мкм и лужения выводов около 12,5 мкм. При необходимости платы могут быть покрыты никелем и золотом.

Одним из перспективных методов получения межслойных соединений является метод переноса, когда проводящие и изолирующие слои попеременно наращиваются на временную промежуточную стальную подложку. Проводящие слои электроосаждаются в виде соединительных медных шин. Изолирующие слои выполняются из эпоксида и защищают сверху проводящие слои, обеспечивая маскирование тех поверхностей шин, которые предназначены для соединения с последующими проводящими слоями.

Проводящие слои осаждаются селективно, обеспечивая контакт с открытыми медными контактными поверхностями как. Процесс этот может быть повторен несколько раз; он обеспечивает получение до 6 слоев. Полученная конфигурация затем переносится с временной подложки на постоянную стеклоэпоксидную подложку.

Медные проводники могут быть просверлены насквозь для вставления и пайки медных выводов дискретных компонентов и корпусов интегральных схем к отверстию. Этим процессом может быть обеспечена весьма высокая плотность монтажа, так как соединения могут быть независимы от сквозных отверстий.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью