Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПрименение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Для уменьшения величины этой паразитной емкости, убывающей с ростом напряжения, и обеспечения обратного смещения изолирующего р-п перехода на подложку р-типа должно подаваться наиболее отрицательное, а на подложку — типа — наиболее положительное напряжение.

Частотные характеристики интегрального транзистора улучшаются с уменьшением коллекторного сопротивления и паразитной емкости между коллектором и подложкой, поэтому интегральные планарные эпитаксиальные транзисторы с утопленным слоем, имеющие малое коллекторное сопротивление и малую паразитную емкость, являются достаточно высокочастотными приборами.

Эквивалентные схемы интегрального транзистора с изоляцией смещенным в обратном направлении р-п переходом. Транзистор представляет собой четырех — слойную структуру, в которой, помимо основного транзистора, существует еще и паразитный, образованный базой и коллектором основного транзистора и подложкой.

Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора — базой паразитного, а подложка — коллектором паразитного транзистора.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →