Рубрика: Применение средств цифровой вычислительной техники
Применение средств цифровой вычислительной техники
Слой стекла
В этом стекле методом травления через фоторезистивную маску образуют окна для контактных пятачков и два небольших отверстия для осуществления контакта верхних пластин конденсаторов с алюминиевыми соединениями, расположенными под стеклом. На…
Сопротивление контрольного резистора
На этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно…
Маскированная диффузия
На этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы.
Структуры интегральных схем
Процесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные…
Проводимость канала
МОП транзисторы в силу своей специфики изолированы от подложки, благодаря чему МОП транзисторы одного типа проводимости легко могут изготовляться и соединяться между собой на одной подложке без специальных изолирующих структур.…