Следует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к минимуму поверхностные утечки. Для доступа к сформированным в кремнии легированным областям находящийся сверху на пластине слой двуокиси кремния вытравливают с помощью маски в нужных местах. Контакты.
Материал, используемый для образования выводов и для внутрисхемных соединений кремниевых компонентов интегральных схем и непосредственно контактирующий с кремнием через окно в двуокиси кремния, должен отвечать целому ряду требований.
Во-первых, должен быть хороший омический, невыпрямляющий, контакт как с материалами р-типа, так и с материалами п-типа при минимальном переходном сопротивлении. Во-вторых, материал должен хорошо сцепляться с кремнием и двуокисью кремния, не вступать с ними в реакции и обеспечивать удобное подсоединение к внешним выводам корпуса интегральных схем.
Материалом, удовлетворяющим этим требованиям и широко используемым в настоящее время для образования контактов и внутрисхемных соединений, является алюминий.