Поверхность пластинки очищают от пасты и металлизируют с помощью вакуумного напыления медью толщиной 0,0125 мм. На металлизированной пластинке фототравлением образуют проводящие дорожки, соединяющие проводящие каналы в] феррите с торцом пластинки. Все проводники на пластинке гальваническим путем покрывают низкотемпературным припоем, а пластинки собирают как мозаику на плате. Затем плату нагревают до температуры плавления припоя, а соответствующим образом совмещенные и соединенные проводящими участками торцов пластинки спаивают между собой в монолитную матрицу.
В результате образуется мозаичная ферритовая пластинка с ортогонально проходящими проводниками, пронизывающими ее через микроотверстия. Носителями информации являются участки феррита вокруг отверстий каждой элементарной пластинки.
Внешний радиус зоны хранения единицы информации составляет 0,1 мм. Из таких запоминающих элементов наиболее эффективно построение ЗУ типа Z с частичным переключением потока, т. е. при контролируемой длительности возбуждающих импульсов тока, которая определяет количество материала ферритовой пластинки, участвующего в переключении.
Построенные макеты ЗУ показали, что микроотверстные элементы могут переключаться при токе чтения 600 ма за 30 нсек.
При этом ток записи составлял 250 ма, а разрядный ток был равен 45 ма. Биполярные выходные сигналы в этом режиме равнялись ±85 мв.