Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Малое пробивное напряжение

Малое пробивное напряжениеЕмкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Прочитать остальную часть записи »

Уровень развития цифровых вычислительных и управляющих машин

Уровень развития цифровых вычислительных и управляющих машинВысокая надежность и дешевизна, свойственные микроэлектронике, достигаются за счет разнообразных комплексных технологических процессов, использующих сложную технологическую аппаратуру. В результате применения массовых методов производства и высокой степени автоматизации надежность микроэлектронных схем непрерывно увеличивается, сопровождаясь одновременно уменьшением стоимости.

Прочитать остальную часть записи »

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходов

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходовВсе интегральные компоненты используют один и тот же исходный материал, тогда как оптимальным явилось бы для каждого типа интегральных приборов использование кремния со своим удельным сопротивлением, что позволило бы улучшить параметры приборов. Невозможно получить в одной пластине кремния р-п-р и п-р-п транзисторы, у которых хотя бы один из коллекторов не был сделан диффузией и не имел бы изменения степени легирования с глубиной, приводящего к получению высокого коллекторного сопротивления насыщения. Прочитать остальную часть записи »

Задачи микроэлектроники

Задачи микроэлектроникиПервый этап микроэлектроники ЦВМ начался в конце первой половины 60-х годов и характеризуется постепенной заменой транзисторной электроники интегральными схемами. Прочитать остальную часть записи »

Время диффузии

Время диффузииСопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые получаются при использовании двух предыдущих методов изоляции. Однако полная емкость получается не меньше, чем при методе трехкратной диффузии, что объясняется большой емкостью вдоль боковых сторон изолирующего р-п перехода, возникающей благодаря наличию сильно легированного p-f-слоя.

Прочитать остальную часть записи »