Метка: транзистор
Малое пробивное напряжение
Емкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный…
Уровень развития цифровых вычислительных и управляющих машин
Высокая надежность и дешевизна, свойственные микроэлектронике, достигаются за счет разнообразных комплексных технологических процессов, использующих сложную технологическую аппаратуру. В результате применения массовых методов производства и высокой степени автоматизации надежность микроэлектронных схем…
Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходов
Все интегральные компоненты используют один и тот же исходный материал, тогда как оптимальным явилось бы для каждого типа интегральных приборов использование кремния со своим удельным сопротивлением, что позволило бы улучшить…
Задачи микроэлектроники
Первый этап микроэлектроники ЦВМ начался в конце первой половины 60-х годов и характеризуется постепенной заменой транзисторной электроники интегральными схемами.
Время диффузии
Сопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые…