Метка: транзистор
Интегральные планарные транзисторы
Применение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции.
Площадь коллекторного перехода
Поэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения.
Транзисторы
Основная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны,…
Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния
Таким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод…
Системы заказных интегральных схем
Конструкция системы заказных интегральных схем определяется, с одной стороны, специфическими требованиями, предъявляемыми цифровой вычислительной машиной и связанным с ней оборудованием, для которых разрабатываются заказные интегральные схемы, а с другой стороны,…