Оборудование

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПрименение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Прочитать остальную часть записи »

Площадь коллекторного перехода

Площадь коллекторного переходаПоэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Прочитать остальную часть записи »

Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Прочитать остальную часть записи »

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремнияТаким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, и поэтому применять его целесообразно в том случае, когда необходимо получить интегральные компоненты, у которых не было бы недостатков, присущих компонентам, получаемым при использовании обычного метода изоляции.

Прочитать остальную часть записи »

Системы заказных интегральных схем

Системы заказных интегральных схемКонструкция системы заказных интегральных схем определяется, с одной стороны, специфическими требованиями, предъявляемыми цифровой вычислительной машиной и связанным с ней оборудованием, для которых разрабатываются заказные интегральные схемы, а с другой стороны, она определяется характеристиками интегральных компонентов, которые можно изготовить при достигнутом уровне технологии. В результате успешное проектирование может быть осуществлено только при наличии тесного взаимодействия между разработчиками цифровой вычислительной машины и разработчиками интегральных схем. Прочитать остальную часть записи »