Метка: транзистор
Изоляция от подложки
Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого.
Интегральные компоненты а структуры
Для этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к…
Диффузия легирующих примесей
Для обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и…
Коллекторная область
Аналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления,…
Интегральные планарные транзисторы
Пока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении…