Оборудование

Изоляция от подложки

Изоляция от подложкиКак и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные компоненты а структуры

Интегральные компоненты а структурыДля этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к частым поломкам при обработке.

Прочитать остальную часть записи »

Диффузия легирующих примесей

Диффузия легирующих примесейДля обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и слегка диффундируют внутрь ее, а на втором этапе производится окончательная диффузия примесей на нужную глубину. Прочитать остальную часть записи »

Коллекторная область

Коллекторная областьАналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления, свойственные планарным интегральным транзисторам с изоляцием р-п переходами, могут быть существенно уменьшены. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении паразитный диод, подсоединенный к подложке и вносящий паразитную емкость и ток утечки.

Прочитать остальную часть записи »