Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Схемы 200-й серии

Схемы 200-й серииПараметр р представляет собой коэффициент отношения сопротивления резистора, включенного в коллекторную цепь транзистора Т2, к полному сопротивлению входного резистора R. Применение транзистора Т2 с коллектором, подсоединенным к отводу входного сопротивления, значительно повышает помехозащищенность, что особенно заметно в худшем случае, получающемся при -55° С, когда усиление инвертирующего транзистора Тх минимально. Прочитать остальную часть записи »

Сопротивление контрольного резистора

Сопротивление контрольного резистораНа этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно изготовляются с несколько меньшим, чем нужно, сопротивлением.

Прочитать остальную часть записи »

Выходные транзисторы

Выходные транзисторыБольшая часть обратного тока базы транзистора Т, обеспечивающего удаление неосновных носителей из области базы при выключении транзистора, подается в базу транзистора Т из заряда запасенного диодами смещения Mat которые должны поэтому иметь достаточно длительное время восстановления. При выключении транзистора Т образуется низкоимпедансная цепь через насыщенный коллектор включенного выходного транзистора предыдущего клапана, прямое сопротивление включенного входного логического диода Ml и далее через невосстановленное обратное сопротивление диодов смещения Mo в базу выключаемого транзистора Т. Эта цепь требует тщательного проектирования, причем особое внимание должно быть обращено на согласование времени восстановления обратного сопротивления диодов смещения Д0 со временем выключения транзистора Т. Наличие коллекторного резистора RK не является обязательным, однако он обеспечивает определенную защиту от возникновения помех на выходной линии клапана при выключенном состоянии транзистора Т. Кроме того, благодаря резистору RK, образуется постоянная составляющая коллекторного тока транзистора 7, когда он находится во включенном состоянии, что предохраняет транзистор от чрезмерного перевозбуждения при насыщении.

Прочитать остальную часть записи »

Маскированная диффузия

Маскированная диффузияНа этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Прочитать остальную часть записи »

Структуры интегральных схем

Структуры интегральных схемПроцесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные слои для коллекторных областей транзисторов, которые потом будут изготовлены над ними. Прочитать остальную часть записи »