Метка: сопротивления
Схемы 200-й серии
Параметр р представляет собой коэффициент отношения сопротивления резистора, включенного в коллекторную цепь транзистора Т2, к полному сопротивлению входного резистора R. Применение транзистора Т2 с коллектором, подсоединенным к отводу входного сопротивления,…
Сопротивление контрольного резистора
На этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно…
Выходные транзисторы
Большая часть обратного тока базы транзистора Т, обеспечивающего удаление неосновных носителей из области базы при выключении транзистора, подается в базу транзистора Т из заряда запасенного диодами смещения Mat которые должны…
Маскированная диффузия
На этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы.
Структуры интегральных схем
Процесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные…