Индуктивные компоненты

Индуктивные компонентыПлоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Прочитать остальную часть записи »

Высокочастотные стандартные интегральные схемы

Высокочастотные стандартные интегральные схемыМногопластинчатые интегральные схемы позволяют в каждой из пластинок получить оптимальные характеристики и обеспечивают возможность получения хорошей изоляции между отдельными частями интегральной структуры. Прочитать остальную часть записи »

Тонкопленочные конденсаторы

Тонкопленочные конденсаторыТонкопленочные конденсаторы имеют очень хорошие характеристики, прежде всего, благодаря тому, что их изоляция от подложки достигается не смещенным в обратном направлении р-п переходом, а с помощью слоя Si02, выращенного на кремниевой подложке и имеющего достаточную толщину. Паразитная емкость относительно подложки у тонкопленочного конденсатора получается на порядок чем у Двух ранее рассмотренных типов Паразитное последовательное сопротивление у конденсаторов также мало, поскольку обе пластины конденсатора изготавливаются из алюминиевой пленки и не используют полупроводниковых слоев. Прочитать остальную часть записи »

Потери для конденсатора

Потери для конденсатораМеталл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.

Прочитать остальную часть записи »

Сечение конденсатора

Сечение конденсатораПоследовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →