Метка: процесс
Окисный слой
Время, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин.
Диффузия легирующих примесей
Для обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и…
Процесс переноса легирующих примесей
Диффузия легирующих примесей в кремниевые пластины, используемые для изготовления интегральных схем, производится с поверхности этих пластин. При этом концентрация примесей получается неравномерной: на поверхности кремниевой пластины будет наибольшая концентрация, а…
Основные технологические процессы
Поэтому все дальнейшее рассмотрение технологических процессов, применяемых для изготовления интегральных схем, будет основном, рассмотрением процессов в кремнии.
Металлические маски
Таким образом, комбинация основных и вспомогательных технологических процессов позволяет осуществить осаждение на подложке интегральных пленочных компонентов и межсхемных соединений из нужных материалов, имеющих заданные размеры и форму. Основные технологические процессы…