Метка: процесс
Отношение периметра
В начале разработки машины D37B была реализована исследовательская программа методов производства многослойных печатных плат, которые не требовали бы сверления сквозных отверстий в плате для получения межслойных соединений и оставляли бы…
Материал, используемый для образования выводов
Для формирования выводов и внутрисхемных соединений интегральных компонентов на поверхность пластины кремния, покрытую слоем Si02, имеющим в нужных местах окна, в вакууме напыляется пленка А1, образующая нужное изображение внутрисхемных соединений…
Поверхности кремниевой пластины
При проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При…
Эпитаксиальное выращивание
Под влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары…
Время, занимаемое диффузионными процессами
Эпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные…