Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Тактовая дорожка

Тактовая дорожкаЗапоминающие устройства на магнитном барабане позволяют получить значительное повышение быстродействия по сравнению с ЗУ на магнитной ленте, поскольку запись и считывание информации могут быть произведены параллельным способом. Прочитать остальную часть записи »

ЗУ на магнитной ленте (ЗУЛ)

ЗУ на магнитной ленте (ЗУЛ)Это устройство выдерживает удар до 750 g и вибрацию до 15 g при частоте 2 кгц. Такие же перегрузки способно выдерживать другое 16-канальное устройство этой фирмы MTR-1200, имеющее длину магнитной ленты 216 ж и вес 5,2 кг. Фирма выпускает свои ЗУЛ комплектно с электроникой для управления, записи и считывания по любому из необходимых заказчику способов записи и формы представления информации. Прочитать остальную часть записи »

Линии задержки

Линии задержкиЛинии задержки (ЛЗ) представляют собой плоские многоугольники из стекла, имеющие монокристаллические кварцевые входные и выходные преобразователи. Прочитать остальную часть записи »

Выходные транзисторы

Выходные транзисторыБольшая часть обратного тока базы транзистора Т, обеспечивающего удаление неосновных носителей из области базы при выключении транзистора, подается в базу транзистора Т из заряда запасенного диодами смещения Mat которые должны поэтому иметь достаточно длительное время восстановления. При выключении транзистора Т образуется низкоимпедансная цепь через насыщенный коллектор включенного выходного транзистора предыдущего клапана, прямое сопротивление включенного входного логического диода Ml и далее через невосстановленное обратное сопротивление диодов смещения Mo в базу выключаемого транзистора Т. Эта цепь требует тщательного проектирования, причем особое внимание должно быть обращено на согласование времени восстановления обратного сопротивления диодов смещения Д0 со временем выключения транзистора Т. Наличие коллекторного резистора RK не является обязательным, однако он обеспечивает определенную защиту от возникновения помех на выходной линии клапана при выключенном состоянии транзистора Т. Кроме того, благодаря резистору RK, образуется постоянная составляющая коллекторного тока транзистора 7, когда он находится во включенном состоянии, что предохраняет транзистор от чрезмерного перевозбуждения при насыщении.

Прочитать остальную часть записи »