Метка: кремний
Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния
Таким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод…
Малое пробивное напряжение
Емкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный…
Сопротивление контрольного резистора
На этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно…
Реализация потенциальных возможностей
Необходимость минимизации количества соединений обусловливает выбор оптимальных размеров модульных панелей для размещения логических схем и схем запоминающих устройств. Анализ показал, что если машина разделена на функциональные узлы, то минимум соединений…
Особенности многослойных плат и панелей машины D37B для ракеты Minuteman
При разработке цифровой вычислительной машины типа D37B для модернизированного варианта межконтинентальной баллистической ракеты Minuteman была выявлена существенная необходимость использования самых современных методов соединений кремниевых интегральных схем.