Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Интегральные компоненты а структуры

Интегральные компоненты а структурыДля этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к частым поломкам при обработке.

Прочитать остальную часть записи »

Подсоединение интегральной структуры

Подсоединение интегральной структурыВ этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи. Прочитать остальную часть записи »

Неровность слоя

Неровность слояСледует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к минимуму поверхностные утечки. Прочитать остальную часть записи »

Проведение многократной диффузии

Проведение многократной диффузииСовременные фоторезистивные маски обладают большой химической стойкостью, поэтому подтравливание у краев маски получается небольшим и маска, изготовляемая из пленки двуокиси кремния, очень хорошо выдерживает формы и размеры фоторезистивной маски. После того, как вытравливание незамаскированных участков слоя Si02 заканчивается, фоторезистивную маску удаляют, а поверхность кремниевой пластины тщательно очищают и промывают.

Прочитать остальную часть записи »

Приготовление кремниевых пластин

Приготовление кремниевых пластинЭти монокристаллы с диаметром 25-30 мм разрезаются на отдельные пластины, толщина которых доводится до окончательной сначала путем механической шлифовки, а затем путем механической или химической полировки. Прочитать остальную часть записи »