Метка: кремний
Применение метода диэлектрической изоляции
В интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.
Напряжение пробоя
Емкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения.
Диоды
Время переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде.
Большие трудности
Интегральные транзисторы обычно имеют форму прямоугольника шириной 50-200 мкм и длиной 75-300 мкм. Глубина эмиттерной области транзистора составляет несколько микрон, а толщина базы равняется нескольким десятым долям микрона. В тех…
Аналогичный транзисторный эффект
Однако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во…