Оборудование

Тонкопленочные конденсаторы

Тонкопленочные конденсаторыТонкопленочные конденсаторы имеют очень хорошие характеристики, прежде всего, благодаря тому, что их изоляция от подложки достигается не смещенным в обратном направлении р-п переходом, а с помощью слоя Si02, выращенного на кремниевой подложке и имеющего достаточную толщину. Паразитная емкость относительно подложки у тонкопленочного конденсатора получается на порядок чем у Двух ранее рассмотренных типов Паразитное последовательное сопротивление у конденсаторов также мало, поскольку обе пластины конденсатора изготавливаются из алюминиевой пленки и не используют полупроводниковых слоев. Прочитать остальную часть записи »

Металло-окисно-полупроводниковые конденсаторы

Металло-окисно-полупроводниковые конденсаторыМеталл-окисно-полупроводниковый конденсатор имеет высокое напряжение пробоя на верхней пластине конденсатора, отделенной слоем Si02, в то время как напряжение пробоя на нижней пластине конденсатора по-прежнему определяется пробивным напряжением изолирующего перехода подложка — коллектор. Прочитать остальную часть записи »

Потери для конденсатора

Потери для конденсатораМеталл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.

Прочитать остальную часть записи »

Толщина осаждаемой нихромовой пленки

Толщина осаждаемой нихромовой пленкиВысокое пробивное напряжение на подложку позволяет использовать тонкопленочные резисторы при напряжениях в несколько сот вольт. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные диффузионные резисторы

Интегральные диффузионные резисторыМаксимальная допустимая мощность, рассеиваемая диффузионными резисторами, достаточно велика и определяется, в первую очередь, возможностями осуществления теплоотвода через корпус. Таким образом, диффузионные резисторы обеспечивают получение сопротивлений в диапазоне от единиц ом до нескольких десятков килоом. Прочитать остальную часть записи »