Метка: кремний
Сопротивление области
Эпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов.
Полевые транзисторы
Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,…
Температура и напряжениях
Что касается рабочего диапазона температур, то для цифровых интегральных схем, используемых в аэрокосмических ЦВМ, он составляет, как минимум, от -40 до +85° С; при этом диапазон температур, при которых допускается…
Массовое производство интегральных подсистем
Выполнение межсхемных соединений интегральных структур на самой кремниевой пластине не только повысит надежность, но и позволит при той же рассеиваемой мощности получить большее быстродействие, так как оно будет сопровождаться уменьшением…
Многопластинчатые интегральные схемы
В настоящее время в процессе изготовления монолитных интегральных схем большая кремниевая пластина, содержащая много интегральных структур, разрезается на отдельные пластинки с интегральными структурами, каждая из которых используется для изготовления одной…