Метка: изоляция
Подсоединение интегральной структуры
В этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи.
Интегральные планарные транзисторы
Применение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции.
Площадь коллекторного перехода
Поэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения.
Компоненты интегральных схем
Малое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.