Метка: база
Базовые выводы
Интегральные компоненты на главной матрице изготовляются методом трехкратной диффузии и изолированы друг от друга, за исключением транзисторов типа р-п-р, у которых общим коллектором является подложка р-типа. Во время первой, коллекторной,…
Нормальный сигнал
Схемы 53-й серии используют общую главную матрицу интегральных компонентов, размер которой составляет всего 1,65X3,81 мм. Это позволяет изготовлять на кремниевой пластине диаметром 25 мм одновременно несколько десятков главных матриц интегральных…
Клапанная схема
В схемах 53-й серии параллельно с входными транзисторами р-п-р типа включаются еще дополнительные транзисторы р-п-р типа, образованные переходами база — коллектор и коллектор — подложка транзисторов п-р-п типа. Если мы…
Сечение конденсатора
Последовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах.
Увеличение термостабильности материала
Как уже было показано ранее, главными требованиями при создании ЗУ для микроминиатюрных вычислительных машин являются низкая мощность возбуждения и высокая плотность размещения информации. Магнитные ЗУ позволяют получить эти качества при…