Запоминающий элемент

Запоминающий элементФирма Fairchi Id Semiconductor ведет разработки запоминающих устройств на основе металлооксидных полупроводников (MOS). В одном запоминающем блоке эта фирма размещает 16 четырехразрядных слов, адресный дешифратор, адресные возбудители и вентили для записи информации. Прочитать остальную часть записи »

Полупроводниковые ЗУ на интегральных схемах

Полупроводниковые ЗУ на интегральных схемахКонструктивно память сделана на 256 25-разрядных слов, но имеется тенденция к расширению ее до 1024 слов при общей потребляемой мощности 2,5 вт. Разработанный в настоящее время элемент на 16 дв. зн. с рассеиваемой мощностью 30 мет на двоичный знак усовершенствуется, чтобы иметь рассеиваемую мощность до 3 мет. Недостаток использования интегральных схем для памяти состоит в том, что такая память постоянно потребляет энергию для хранения и теряет информацию при отключении источников питания. Прочитать остальную часть записи »

Организация записи и считывания

Организация записи и считыванияПриведенные в этом разделе данные о запоминающих устройствах на дисках показывают, что ЗУД предоставляют для миниатюрных вычислительных машин наибольшие возможности как внешние запоминающие устройства большой емкости с малым потреблением энергии по сравнению с другими ЗУ на движущихся носителях запоминания. Прочитать остальную часть записи »

Диск Бернулли

Диск БернуллиПри вращении мягкий диск выпрямляется возникающими при этом центробежными силами и разгоняет соприкасающийся с ним воздух от центра к периферии. К центру диска воздух начинает засасываться через сопло. Прочитать остальную часть записи »

Записывающая поверхность

Записывающая поверхностьВ центре монтажной платы головок расположены переходные блоки, через которые головки связываются с адресными переключателями головок для выбора нужных дорожек. Параметры записи-считывания дисков делают возможным применение интегральных схем. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →