Подача положительного стробирующего импульса

Подача положительного стробирующего импульсаБлагодаря тому, что заряд диодов Д± и Д2 осуществляется через низкоимпедансные цепи с выходов эмиттерных повторителей, собранных на зарядных транзисторах Т7 и Ti2, а разряд излишнего заряда накопленного этими диодами осуществляется через низкоимпедансные цепи с коллекторных выходов разрядных транзисторов Т9 и Т10, перезаряд диодов Д4 и Д2 может выполняться очень быстро, обеспечивая работу с частотой до 20 Мгц. При этом минимально допустимая ширина стробирующего импульса составляет всего 20 нсек. Прочитать остальную часть записи »

Передаточные транзисторы

Передаточные транзисторыПри этом с помощью схемы с двумя устойчивыми состояниями, собранной на транзисторах Т9 и Т1о, разрядный транзистор Тд выключится, а разрядный транзистор Ti0 включится. Это приведет к разряду диода с накоплением заряда Д2 до напряжения, равного напряжению насыщения транзистора Т1о. Второй зарядный транзистор Т12 будет выключен, так как на один извходных эмиттеров транзистора Ti3 будет подано напряжение низкого уровня с выхода триггера Q. Передаточные транзисторы Т8 и Тп также будут в это время выключены, так как на их эмиттеры подан положительный уровень стробирующего импульса СР. Когда стробирующий сигнал на входе CP возвращается к низкому уровню, то через входные клапанные транзисторы Т6 и Т± 3 он выключает зарядные транзисторы Т7 и Ti2 и одновременно подает низкий уровень на эмиттеры передаточных транзисторов Т8 и Тп. Поскольку в базе передаточного транзистора Ts в это время имеется положительное напряжение заряженного диода с накоплением заряда Ди этот транзистор включается и выключает транзистор Т4. В результате на выходе появится положительный сигнал и триггер перейдет из состояния 0 в состояние 1. Таким образом, при подаче положительного стробирующего импульса на вход CP триггер будет переходить из состояния 0 в состояние 1, из состояния 1 в состояние 0 или будет изменять свое состояние на обратное в зависимости от информации, поданной на входы триггера.

Интегральные схемы

Интегральные схемыВсе схемы являются монолитными цифровыми интегральными схемами и используют однократную эпитаксию и диффузионный утопленный слой. Прочитать остальную часть записи »

Неравенство базовых напряжений

Неравенство базовых напряженийВ результате этого и возникает ток, текущий из входного многоэмиттерного транзистора с большим базовым напряжением во входной многоэмиттерный транзистор с меньшим базовым напряжением. Таким образом, появляется перераспределение базовых токов выходных инвертирующих транзисторов клапанов ТТЛ. С другой стороны, запас от помех для клапанов ТТЛ в худшем случае (при температуре +125° С) составляет всего около 100 мв, что требует серьезного внимания при создании цифровых систем, использующих схемы транзисторно-транзисторной логики. Прочитать остальную часть записи »

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)Цифровые интегральные схемы ТТЛ оказываются более быстродействующими по сравнению со схемами ДТЛ. Однако они обладают большей чувствительностью к помехам и меньшим объединением на входе и разветвлением на выходе. Прочитать остальную часть записи »