Оборудование

Приготовление кремниевых пластин

Приготовление кремниевых пластинЭти монокристаллы с диаметром 25-30 мм разрезаются на отдельные пластины, толщина которых доводится до окончательной сначала путем механической шлифовки, а затем путем механической или химической полировки. Прочитать остальную часть записи »

Эпитаксиальное выращивание

Эпитаксиальное выращиваниеПод влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары HCI удаляются из зоны реакции. Прочитать остальную часть записи »

Время, занимаемое диффузионными процессами

Время, занимаемое диффузионными процессамиЭпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные слои), обладающие заданными свойствами.

Прочитать остальную часть записи »

Окисный слой

Окисный слойВремя, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин. Прочитать остальную часть записи »

Диффузия легирующих примесей

Диффузия легирующих примесейДля обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и слегка диффундируют внутрь ее, а на втором этапе производится окончательная диффузия примесей на нужную глубину. Прочитать остальную часть записи »