Оборудование

Подсоединение интегральной структуры

Подсоединение интегральной структурыВ этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи. Прочитать остальную часть записи »

Материал, используемый для образования выводов

Материал, используемый для образования выводовДля формирования выводов и внутрисхемных соединений интегральных компонентов на поверхность пластины кремния, покрытую слоем Si02, имеющим в нужных местах окна, в вакууме напыляется пленка А1, образующая нужное изображение внутрисхемных соединений и контактные пятачки для подсоединения внешних выводов. Прочитать остальную часть записи »

Неровность слоя

Неровность слояСледует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к минимуму поверхностные утечки. Прочитать остальную часть записи »

Проведение многократной диффузии

Проведение многократной диффузииСовременные фоторезистивные маски обладают большой химической стойкостью, поэтому подтравливание у краев маски получается небольшим и маска, изготовляемая из пленки двуокиси кремния, очень хорошо выдерживает формы и размеры фоторезистивной маски. После того, как вытравливание незамаскированных участков слоя Si02 заканчивается, фоторезистивную маску удаляют, а поверхность кремниевой пластины тщательно очищают и промывают.

Прочитать остальную часть записи »

Поверхности кремниевой пластины

Поверхности кремниевой пластиныПри проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При этом, как уже говорилось, во время второго этапа диффузии на поверхности пластины кремния выращивается новый слой двуокиси кремния, обеспечивающий проведение маскирования для последующих этапов. Прочитать остальную часть записи »