Металлические маски

Металлические маскиТаким образом, комбинация основных и вспомогательных технологических процессов позволяет осуществить осаждение на подложке интегральных пленочных компонентов и межсхемных соединений из нужных материалов, имеющих заданные размеры и форму. Основные технологические процессы изготовления полупроводниковых областей Основные технологические процессы обеспечивают формирование в полупроводниковых пластинках областей с проводимостями различных типов и концентраций.

Прочитать остальную часть записи »

Задубленный слой фоторезиста

Задубленный слой фоторезистаПри использовании фоторезистивной маски для нанесения пленки нужной конфигурации маску изготовляют непосредственно на подложке, а затем на нее наносят пленку. После этого фоторезистивную маску вместе с находящейся на ней пленкой удаляют, а на подложке получается нужное пленочное изображение, оставшееся в тех местах, где были окна в маске. Прочитать остальную часть записи »

Получение фоторезистивной маски

Получение фоторезистивной маскиПосле этого фотонегатив маски, выполненный в масштабе 1:1, плотно прижимают к слою фоторезиста и очень точно центрируют относительно подложки при помощи специальных приспособлений. Затем параллельным пучком ультрафиолетовых лучей засвечивают через фотонеггтив слой фоторезиста, подобно тому, как это происходит при обычной контактной фотопечати. Прочитать остальную часть записи »

Пленки металлов

Пленки металловПодготовка подложки к осаждению начинается с того, что ее тщательно шлифуют и полируют методами механической полировки или путем травления. После этого ее очищают (часто с использованием ультразвука) и промывают. Прочитать остальную часть записи »

Вакуумное напыление

Вакуумное напылениеПленки металлов могут служить также в качестве анодов в электролитах для получения на них слоя окисла, который может использоваться для изоляции или для изготовления такого интегрального компонента, как конденсатор. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →