Оборудование

Поверхности кремниевой пластины

Поверхности кремниевой пластиныПри проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При этом, как уже говорилось, во время второго этапа диффузии на поверхности пластины кремния выращивается новый слой двуокиси кремния, обеспечивающий проведение маскирования для последующих этапов. Прочитать остальную часть записи »

Приготовление кремниевых пластин

Приготовление кремниевых пластинЭти монокристаллы с диаметром 25-30 мм разрезаются на отдельные пластины, толщина которых доводится до окончательной сначала путем механической шлифовки, а затем путем механической или химической полировки. Прочитать остальную часть записи »

Эпитаксиальное выращивание

Эпитаксиальное выращиваниеПод влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары HCI удаляются из зоны реакции. Прочитать остальную часть записи »

Время, занимаемое диффузионными процессами

Время, занимаемое диффузионными процессамиЭпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные слои), обладающие заданными свойствами.

Прочитать остальную часть записи »

Окисный слой

Окисный слойВремя, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин. Прочитать остальную часть записи »