Рубрика: Разработка средств цифровой вычислительной техники
Разработка средств цифровой вычислительной техники
Подсоединение интегральной структуры
В этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи.
Материал, используемый для образования выводов
Для формирования выводов и внутрисхемных соединений интегральных компонентов на поверхность пластины кремния, покрытую слоем Si02, имеющим в нужных местах окна, в вакууме напыляется пленка А1, образующая нужное изображение внутрисхемных соединений…
Неровность слоя
Следует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к…
Проведение многократной диффузии
Современные фоторезистивные маски обладают большой химической стойкостью, поэтому подтравливание у краев маски получается небольшим и маска, изготовляемая из пленки двуокиси кремния, очень хорошо выдерживает формы и размеры фоторезистивной маски. После…
Поверхности кремниевой пластины
При проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При…