Время, занимаемое диффузионными процессами

Время, занимаемое диффузионными процессамиЭпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные слои), обладающие заданными свойствами.

Прочитать остальную часть записи »

Окисный слой

Окисный слойВремя, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин. Прочитать остальную часть записи »

Диффузия легирующих примесей

Диффузия легирующих примесейДля обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и слегка диффундируют внутрь ее, а на втором этапе производится окончательная диффузия примесей на нужную глубину. Прочитать остальную часть записи »

Процесс переноса легирующих примесей

Процесс переноса легирующих примесейДиффузия легирующих примесей в кремниевые пластины, используемые для изготовления интегральных схем, производится с поверхности этих пластин. При этом концентрация примесей получается неравномерной: на поверхности кремниевой пластины будет наибольшая концентрация, а по мере продвижения вглубь материала величина концентрации постепенно убывает.

Прочитать остальную часть записи »

Основные технологические процессы

Основные технологические процессыПоэтому все дальнейшее рассмотрение технологических процессов, применяемых для изготовления интегральных схем, будет основном, рассмотрением процессов в кремнии. Прочитать остальную часть записи »