Неровность слоя

Неровность слояСледует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к минимуму поверхностные утечки. Прочитать остальную часть записи »

Проведение многократной диффузии

Проведение многократной диффузииСовременные фоторезистивные маски обладают большой химической стойкостью, поэтому подтравливание у краев маски получается небольшим и маска, изготовляемая из пленки двуокиси кремния, очень хорошо выдерживает формы и размеры фоторезистивной маски. После того, как вытравливание незамаскированных участков слоя Si02 заканчивается, фоторезистивную маску удаляют, а поверхность кремниевой пластины тщательно очищают и промывают.

Прочитать остальную часть записи »

Поверхности кремниевой пластины

Поверхности кремниевой пластиныПри проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При этом, как уже говорилось, во время второго этапа диффузии на поверхности пластины кремния выращивается новый слой двуокиси кремния, обеспечивающий проведение маскирования для последующих этапов. Прочитать остальную часть записи »

Приготовление кремниевых пластин

Приготовление кремниевых пластинЭти монокристаллы с диаметром 25-30 мм разрезаются на отдельные пластины, толщина которых доводится до окончательной сначала путем механической шлифовки, а затем путем механической или химической полировки. Прочитать остальную часть записи »

Эпитаксиальное выращивание

Эпитаксиальное выращиваниеПод влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары HCI удаляются из зоны реакции. Прочитать остальную часть записи »