Оборудование

I поколение ЭВМ: ЭВМ, сконструированные в 1946-1955 гг.

1. Элементная база: электронно-вакуумные лампы.
2. Соединение элементов: навесной монтаж проводами.
3. Габариты: ЭВМ выполнена в виде громадных шкафов.
Эти компьютеры были огромными, неудобными и слишком дорогими машинами, которые могли приобрести крупные корпорации и правительства.
Лампы потребляли большое количество электроэнергии и выделяли много тепла.
4. Быстродействие: 10−20 тыс. операций в секунду.
5. Эксплуатация: сложная из-за частого выхода из строя электронно-вакуумных ламп.
6. Программирование: машинные коды. При этом надо знать все команды машины, двоичное представление, архитектуру ЭВМ. В основном были заняты математики-программисты. Обслуживание ЭВМ требовало от персонала высокого профессионализма.
7. Оперативная память: до 2 Кбайт.
8. Данные вводились и выводились с помощью перфокарт, перфолент.

История развития вычислительной техники, 20-ый век

Впервые автоматически действующие вычислительные устройства появились в середине XX века. Это стало возможным благодаря использованию наряду с механическими конструкциями электромеханических реле. Прочитать остальную часть записи »

Виды ИИС

По признаку выполняемых функций ИИС модно разделить на три группы:
1 группа — ИИС в прямом смысле, выполняющие прямые, косвенные и совокупные измерения; в последних двух случаях — на основе прямых измерений других величин и соответствующей математической обработки. Области применения этих систем — всевозможного рода комплексные исследования научного и производственного характера. Прочитать остальную часть записи »

Сопротивление области

Сопротивление областиЭпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов. Прочитать остальную часть записи »

Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Прочитать остальную часть записи »