Сопротивление области

Сопротивление областиЭпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов. Прочитать остальную часть записи »

Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные компоненты а структуры

Интегральные компоненты а структурыДля этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к частым поломкам при обработке.

Прочитать остальную часть записи »

Подсоединение интегральной структуры

Подсоединение интегральной структурыВ этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи. Прочитать остальную часть записи »

Материал, используемый для образования выводов

Материал, используемый для образования выводовДля формирования выводов и внутрисхемных соединений интегральных компонентов на поверхность пластины кремния, покрытую слоем Si02, имеющим в нужных местах окна, в вакууме напыляется пленка А1, образующая нужное изображение внутрисхемных соединений и контактные пятачки для подсоединения внешних выводов. Прочитать остальную часть записи »