Маскированная диффузия

Маскированная диффузияНа этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Прочитать остальную часть записи »

Структуры интегральных схем

Структуры интегральных схемПроцесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные слои для коллекторных областей транзисторов, которые потом будут изготовлены над ними. Прочитать остальную часть записи »

Проводимость канала

Проводимость каналаМОП транзисторы в силу своей специфики изолированы от подложки, благодаря чему МОП транзисторы одного типа проводимости легко могут изготовляться и соединяться между собой на одной подложке без специальных изолирующих структур. В этом случае подложка действует как обычный затвор, но если ее сопротивление достаточно Велико, то она не будет оказывать заметного влияния. Прочитать остальную часть записи »

Материал и проводимость

Материал и проводимостьПроводимость канала может модулироваться электрическим полем, образованным напряжением на металлическом затворе, изолированном от канала слоем двуокиси кремния. Прочитать остальную часть записи »

Транзистор с обогащением

Транзистор с обогащениемПри подаче на затвор напряжения нужной полярности электрическое поле, возникающее в канале под слоем двуокиси кремния, индуцирует возле верхней поверхности кремниевой подложки заряд, в результате чего между истоком и стоком возникает омическая цепь и начинает быстро нарастать ток. В зависимости от типа используемых основных носителей имеются МОП транзисторы р — и л-типа. Прочитать остальную часть записи »