Ферритовые пластины

Ферритовые пластиныРаботы фирмы Autonetics (США) по исследованию слоистых структур привели к разработке метода наращивания монокристаллического эпитаксиального феррита на подложку из окиси магния. Линии проводников шириной 50-75 мкм предварительно осаждают на окись магния, а ферритовый кристалл наращивают поверх них и вокруг системы золотых проволок толщиной 50-75 мкм, подвешенных над окисью магния.

Прочитать остальную часть записи »

Слоистые ферриты

Слоистые ферритыОдин из них сделан на 16 8-разрядных чисел по типу Z. В нем использовано по два перекрестья на разряд. Прочитать остальную часть записи »

Носители запоминания

Носители запоминанияКроме того, в этой системе чрезвычайно мало влияние запоминающих ячеек друг на друга, так как материал применяемого феррита имеет прямоугольную петлю гистерезиса и, следовательно, величина максимального остаточного потока элементарной ячейки зависит в основном лишь от толщины слоистого феррита, которую можно считать равной внешнему диаметру некоторого эквивалентного сердечника. Прочитать остальную часть записи »

Слоистые ферриты

Слоистые ферритыОбе пластинки пробивают в утолщенных концах проводников пуансонами, имеющими диаметр, меньший диаметров утолщений со стороны проводников. Прочитать остальную часть записи »

Увеличение термостабильности материала

Увеличение термостабильности материалаКак уже было показано ранее, главными требованиями при создании ЗУ для микроминиатюрных вычислительных машин являются низкая мощность возбуждения и высокая плотность размещения информации. Магнитные ЗУ позволяют получить эти качества при уменьшении запоминающего элемента, которое не может быть произведено простыми и дешевыми способами при наличии отверстий в элементарной ячейке. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →