Оборудование

Время диффузии

Время диффузииСопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые получаются при использовании двух предыдущих методов изоляции. Однако полная емкость получается не меньше, чем при методе трехкратной диффузии, что объясняется большой емкостью вдоль боковых сторон изолирующего р-п перехода, возникающей благодаря наличию сильно легированного p-f-слоя.

Прочитать остальную часть записи »