Рубрика: Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
Коллекторная область
Аналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления,…
Интегральные планарные транзисторы
Пока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении…
Интегральные планарные транзисторы
Применение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции.
Площадь коллекторного перехода
Поэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения.
Транзисторы
Основная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны,…