Оборудование

Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Прочитать остальную часть записи »

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремнияТаким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, и поэтому применять его целесообразно в том случае, когда необходимо получить интегральные компоненты, у которых не было бы недостатков, присущих компонентам, получаемым при использовании обычного метода изоляции.

Прочитать остальную часть записи »

Малое пробивное напряжение

Малое пробивное напряжениеЕмкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Прочитать остальную часть записи »

Компоненты интегральных схем

Компоненты интегральных схемМалое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.

Прочитать остальную часть записи »

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходов

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходовВсе интегральные компоненты используют один и тот же исходный материал, тогда как оптимальным явилось бы для каждого типа интегральных приборов использование кремния со своим удельным сопротивлением, что позволило бы улучшить параметры приборов. Невозможно получить в одной пластине кремния р-п-р и п-р-п транзисторы, у которых хотя бы один из коллекторов не был сделан диффузией и не имел бы изменения степени легирования с глубиной, приводящего к получению высокого коллекторного сопротивления насыщения. Прочитать остальную часть записи »