Оборудование

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПрименение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Прочитать остальную часть записи »

Площадь коллекторного перехода

Площадь коллекторного переходаПоэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Прочитать остальную часть записи »

Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Прочитать остальную часть записи »

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремнияТаким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, и поэтому применять его целесообразно в том случае, когда необходимо получить интегральные компоненты, у которых не было бы недостатков, присущих компонентам, получаемым при использовании обычного метода изоляции.

Прочитать остальную часть записи »

Малое пробивное напряжение

Малое пробивное напряжениеЕмкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Прочитать остальную часть записи »