Оборудование

Аналогичный транзисторный эффект

Аналогичный транзисторный эффектОднако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во время работы, а также стабильную работу интегральных схем в широком диапазоне температур. Наиболее широкое распространение получили планар-ные кремниевые транзисторы типа п-р-п. Это происходит потому, что пленарные кремниевые транзисторы типа р-п-р имеют худшие электрические характеристики в результате меньшей подвижности неосновных носителей в базовой области, и, кроме того, производство их связано с технологическими трудностями, вызываемыми формированием инверсного слоя на границе двуокиси кремния и кремния с проводимостью р-типа, возникающего благодаря свойству двуокиси кремния принимать примеси р-типа и отвергать примеси и-типа. Прочитать остальную часть записи »

Коллекторная область

Коллекторная областьАналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления, свойственные планарным интегральным транзисторам с изоляцием р-п переходами, могут быть существенно уменьшены. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении паразитный диод, подсоединенный к подложке и вносящий паразитную емкость и ток утечки.

Прочитать остальную часть записи »

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПрименение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Прочитать остальную часть записи »

Площадь коллекторного перехода

Площадь коллекторного переходаПоэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Прочитать остальную часть записи »