Коллекторная область

Коллекторная областьАналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления, свойственные планарным интегральным транзисторам с изоляцием р-п переходами, могут быть существенно уменьшены. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении паразитный диод, подсоединенный к подложке и вносящий паразитную емкость и ток утечки.

Прочитать остальную часть записи »

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПрименение изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом приводит к возникновению паразитной емкости и тока утечки, величина которых зависит от величины изолированной коллекторной области и метода изоляции. Прочитать остальную часть записи »

Площадь коллекторного перехода

Площадь коллекторного переходаПоэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Прочитать остальную часть записи »

Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Прочитать остальную часть записи »