Оборудование

Диффузионный резистор

Диффузионный резисторТранзисторное действие может быть прекращено, если оба р-п перехода будут смещены в обратном направлении, для чего достаточно на подложку р-типа подать наиболее отрицательный, а на слой n-типа наиболее положительный из имеющихся в схеме потенциалов. Прочитать остальную часть записи »

Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Прочитать остальную часть записи »

Напряжение пробоя

Напряжение пробояЕмкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Прочитать остальную часть записи »

Диоды

ДиодыВремя переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде. Прочитать остальную часть записи »

Большие трудности

Большие трудностиИнтегральные транзисторы обычно имеют форму прямоугольника шириной 50-200 мкм и длиной 75-300 мкм. Глубина эмиттерной области транзистора составляет несколько микрон, а толщина базы равняется нескольким десятым долям микрона. В тех случаях, когда транзисторы изготовляются с общим коллектором, их размеры получаются еще меньше. Прочитать остальную часть записи »