Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Прочитать остальную часть записи »

Напряжение пробоя

Напряжение пробояЕмкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Прочитать остальную часть записи »

Диоды

ДиодыВремя переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде. Прочитать остальную часть записи »

Большие трудности

Большие трудностиИнтегральные транзисторы обычно имеют форму прямоугольника шириной 50-200 мкм и длиной 75-300 мкм. Глубина эмиттерной области транзистора составляет несколько микрон, а толщина базы равняется нескольким десятым долям микрона. В тех случаях, когда транзисторы изготовляются с общим коллектором, их размеры получаются еще меньше. Прочитать остальную часть записи »

Аналогичный транзисторный эффект

Аналогичный транзисторный эффектОднако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во время работы, а также стабильную работу интегральных схем в широком диапазоне температур. Наиболее широкое распространение получили планар-ные кремниевые транзисторы типа п-р-п. Это происходит потому, что пленарные кремниевые транзисторы типа р-п-р имеют худшие электрические характеристики в результате меньшей подвижности неосновных носителей в базовой области, и, кроме того, производство их связано с технологическими трудностями, вызываемыми формированием инверсного слоя на границе двуокиси кремния и кремния с проводимостью р-типа, возникающего благодаря свойству двуокиси кремния принимать примеси р-типа и отвергать примеси и-типа. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →