Оборудование

Интегральные диффузионные резисторы

Интегральные диффузионные резисторыМаксимальная допустимая мощность, рассеиваемая диффузионными резисторами, достаточно велика и определяется, в первую очередь, возможностями осуществления теплоотвода через корпус. Таким образом, диффузионные резисторы обеспечивают получение сопротивлений в диапазоне от единиц ом до нескольких десятков килоом. Прочитать остальную часть записи »

Температурная зависимость диффузионных резисторов

Температурная зависимость диффузионных резисторовЭти каналы служат для образования перемычек в местах пересечений проводников, расположенных на поверхности полупроводниковой интегральной схемы. Для получения малого сопротивления обычно используют коллекторную область и эмиттерную транзисторную диффузию при малом отношении.

Прочитать остальную часть записи »

Диффузионный резистор

Диффузионный резисторТранзисторное действие может быть прекращено, если оба р-п перехода будут смещены в обратном направлении, для чего достаточно на подложку р-типа подать наиболее отрицательный, а на слой n-типа наиболее положительный из имеющихся в схеме потенциалов. Прочитать остальную часть записи »

Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Прочитать остальную часть записи »

Напряжение пробоя

Напряжение пробояЕмкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Прочитать остальную часть записи »