Рубрика: Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
Потери для конденсатора
Металл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.
Сечение конденсатора
Последовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах.
Ширина запорного слоя
Типичная зависимость величины удельной емкости, приходящейся на единицу площади, от напряжения на переходе, смещенном в обратном направлении, для различных переходов, используемых при производстве активных полупроводниковых интегральных компонентов. Как и в…
Высокое пробивное напряжение
В области р-типа существует высокая плотность дырок, а в области п-типа — высокая плотность электронов. В самом переходе существует область пространственного заряда, имеющая положительный заряд на одной стороне и отрицательный…
Толщина осаждаемой нихромовой пленки
Высокое пробивное напряжение на подложку позволяет использовать тонкопленочные резисторы при напряжениях в несколько сот вольт.