Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Прочитать остальную часть записи »

Напряжение пробоя

Напряжение пробояЕмкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Прочитать остальную часть записи »

Диоды

ДиодыВремя переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде. Прочитать остальную часть записи »

Большие трудности

Большие трудностиИнтегральные транзисторы обычно имеют форму прямоугольника шириной 50-200 мкм и длиной 75-300 мкм. Глубина эмиттерной области транзистора составляет несколько микрон, а толщина базы равняется нескольким десятым долям микрона. В тех случаях, когда транзисторы изготовляются с общим коллектором, их размеры получаются еще меньше. Прочитать остальную часть записи »

Аналогичный транзисторный эффект

Аналогичный транзисторный эффектОднако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во время работы, а также стабильную работу интегральных схем в широком диапазоне температур. Наиболее широкое распространение получили планар-ные кремниевые транзисторы типа п-р-п. Это происходит потому, что пленарные кремниевые транзисторы типа р-п-р имеют худшие электрические характеристики в результате меньшей подвижности неосновных носителей в базовой области, и, кроме того, производство их связано с технологическими трудностями, вызываемыми формированием инверсного слоя на границе двуокиси кремния и кремния с проводимостью р-типа, возникающего благодаря свойству двуокиси кремния принимать примеси р-типа и отвергать примеси и-типа. Прочитать остальную часть записи »