Нихромовые резисторы

Нихромовые резисторыТолщина осаждаемой нихромовой пленки колеблется от 100 до 1000 ангстрем в зависимости от необходимой величины сопротивления слоя. Стабильность величины сопротивления достигается термообработкой, обеспечивающей получение на поверхности достаточно толстой защитной окисной пленки. Прочитать остальную часть записи »

Максимальная допустимая мощность

Максимальная допустимая мощностьКонтакты с нихромовыми резисторами осуществляются с помощью алюминиевых пленочных проводников, позволяющих осуществлять также внутрисхемные соединения и омические контакты с полупроводниковыми интегральными компонентами. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные диффузионные резисторы

Интегральные диффузионные резисторыМаксимальная допустимая мощность, рассеиваемая диффузионными резисторами, достаточно велика и определяется, в первую очередь, возможностями осуществления теплоотвода через корпус. Таким образом, диффузионные резисторы обеспечивают получение сопротивлений в диапазоне от единиц ом до нескольких десятков килоом. Прочитать остальную часть записи »

Температурная зависимость диффузионных резисторов

Температурная зависимость диффузионных резисторовЭти каналы служат для образования перемычек в местах пересечений проводников, расположенных на поверхности полупроводниковой интегральной схемы. Для получения малого сопротивления обычно используют коллекторную область и эмиттерную транзисторную диффузию при малом отношении.

Прочитать остальную часть записи »

Диффузионный резистор

Диффузионный резисторТранзисторное действие может быть прекращено, если оба р-п перехода будут смещены в обратном направлении, для чего достаточно на подложку р-типа подать наиболее отрицательный, а на слой n-типа наиболее положительный из имеющихся в схеме потенциалов. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →