Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Потери для конденсатора

Потери для конденсатораМеталл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.

Прочитать остальную часть записи »

Сечение конденсатора

Сечение конденсатораПоследовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах. Прочитать остальную часть записи »

Ширина запорного слоя

Ширина запорного слояТипичная зависимость величины удельной емкости, приходящейся на единицу площади, от напряжения на переходе, смещенном в обратном направлении, для различных переходов, используемых при производстве активных полупроводниковых интегральных компонентов. Как и в случае резисторов, оптимальные параметры конденсаторов, образованных переходами, могут быть получены путем диффузии и эпитаксиального выращивания, но практически используют те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов.

Прочитать остальную часть записи »

Высокое пробивное напряжение

Высокое пробивное напряжениеВ области р-типа существует высокая плотность дырок, а в области п-типа — высокая плотность электронов. В самом переходе существует область пространственного заряда, имеющая положительный заряд на одной стороне и отрицательный на другой, — так называемый запорный слой.

Прочитать остальную часть записи »

Толщина осаждаемой нихромовой пленки

Толщина осаждаемой нихромовой пленкиВысокое пробивное напряжение на подложку позволяет использовать тонкопленочные резисторы при напряжениях в несколько сот вольт. Прочитать остальную часть записи »