Потери для конденсатора

Потери для конденсатораМеталл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.

Прочитать остальную часть записи »

Сечение конденсатора

Сечение конденсатораПоследовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах. Прочитать остальную часть записи »

Ширина запорного слоя

Ширина запорного слояТипичная зависимость величины удельной емкости, приходящейся на единицу площади, от напряжения на переходе, смещенном в обратном направлении, для различных переходов, используемых при производстве активных полупроводниковых интегральных компонентов. Как и в случае резисторов, оптимальные параметры конденсаторов, образованных переходами, могут быть получены путем диффузии и эпитаксиального выращивания, но практически используют те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов.

Прочитать остальную часть записи »

Высокое пробивное напряжение

Высокое пробивное напряжениеВ области р-типа существует высокая плотность дырок, а в области п-типа — высокая плотность электронов. В самом переходе существует область пространственного заряда, имеющая положительный заряд на одной стороне и отрицательный на другой, — так называемый запорный слой.

Прочитать остальную часть записи »

Толщина осаждаемой нихромовой пленки

Толщина осаждаемой нихромовой пленкиВысокое пробивное напряжение на подложку позволяет использовать тонкопленочные резисторы при напряжениях в несколько сот вольт. Прочитать остальную часть записи »