Оборудование

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходов

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходовВсе интегральные компоненты используют один и тот же исходный материал, тогда как оптимальным явилось бы для каждого типа интегральных приборов использование кремния со своим удельным сопротивлением, что позволило бы улучшить параметры приборов. Невозможно получить в одной пластине кремния р-п-р и п-р-п транзисторы, у которых хотя бы один из коллекторов не был сделан диффузией и не имел бы изменения степени легирования с глубиной, приводящего к получению высокого коллекторного сопротивления насыщения. Прочитать остальную часть записи »

Термическая обработка индий

Термическая обработка индийПоскольку диффузия продолжается и при комнатной температуре, а на переходе имеется свободный индий, то при нарушении целостности образовавшегося сплава контакт будет при известных обстоятельствах сам себя излечивать (если добавочная медь насыщает свободный индий). Контакт обеспечивает металлургическое добавление печатного схемного рисунка к штырю, так как благодаря диффузии индия в медь и образованию сплава не существует какого-либо зазора. Прочитать остальную часть записи »

Линейные интегральные схемы

Линейные интегральные схемыОтличительной особенностью этих схем является то, что здесь в одной структуре одновременно используются транзисторы типов п-р-п и р-п-р. Первые четыре схемы используют главную матрицу интегральных компонентов, содержащую два р-п-р и пять п-р-п транзисторов и 8 резисторов, общее сопротивление которых достигает 150 ком. Диффузионные резисторы р-типа имеют многочисленные отводы, позволяющие получить минимальное сопротивление, равное 390 ом. Транзисторы типа п-р-п могут использоваться как диоды (эмиттер соединяется с коллектором) и как р-п-р транзисторы, образованные изоляционной областью п-р-п транзистора р-типа, коллектором п-р-п транзистора n-типа и его базой р-типа. Прочитать остальную часть записи »

Задачи микроэлектроники

Задачи микроэлектроникиПервый этап микроэлектроники ЦВМ начался в конце первой половины 60-х годов и характеризуется постепенной заменой транзисторной электроники интегральными схемами. Прочитать остальную часть записи »

Возбуждение матриц

Возбуждение матрицОписанные микроферритовые матрицы на основе тороидальных сердечников являются шагом вперед по пути создания ЗУ с большой плотностью размещения информации при значительной механизации его изготовления. Прочитать остальную часть записи »