Оборудование

Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Прочитать остальную часть записи »

Впускные отверстия

Впускные отверстияМаксимальная ширина дорожки равна 0,76 мм, ширина пространства между дорожками, таким образом, составляет величину 0,5 мм. Эти параметры сводят до минимума взаимное влияние дорожек. Все синхронизирующие и служебные дорожки физически изолированы от остальных запоминающих дорожек.

Прочитать остальную часть записи »

Индуктивные компоненты

Индуктивные компонентыПлоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Прочитать остальную часть записи »

Запоминающие устройства

Запоминающие устройстваВпускные отверстия размещаются на верху кожуха и в верхней плите барабана. Прочитать остальную часть записи »

Полевые транзисторы

Полевые транзисторыНесмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например, изготовленная двумя эпитаксиальными выращиваниями и четырьмя диффузиями. Прочитать остальную часть записи »