Оборудование

Конструкция системы

Конструкция системыВ состав этих заказных интегральных схем входит 5 типов цифровых логических схем, являющихся обычными цифровыми интегральными схемами диодно-транзисторной логики и отличающихся только тем, что в некоторых схемах клапанов используется стробирование. Прочитать остальную часть записи »

Записывающая поверхность

Записывающая поверхностьВ центре монтажной платы головок расположены переходные блоки, через которые головки связываются с адресными переключателями головок для выбора нужных дорожек. Параметры записи-считывания дисков делают возможным применение интегральных схем. Прочитать остальную часть записи »

Системы заказных интегральных схем

Системы заказных интегральных схемКонструкция системы заказных интегральных схем определяется, с одной стороны, специфическими требованиями, предъявляемыми цифровой вычислительной машиной и связанным с ней оборудованием, для которых разрабатываются заказные интегральные схемы, а с другой стороны, она определяется характеристиками интегральных компонентов, которые можно изготовить при достигнутом уровне технологии. В результате успешное проектирование может быть осуществлено только при наличии тесного взаимодействия между разработчиками цифровой вычислительной машины и разработчиками интегральных схем. Прочитать остальную часть записи »

Возможности проектирования

Возможности проектированияУсилитель рассчитан на работу с запоминающими устройствами на ферритовых сердечниках, имеющими полный цикл чтения и записи 2 мксек, и имеет порог срабатывания при 25° С около 15-19 мв, причем зона нечувствительности составляет только 1 мв. Время восстановления усилителя считывания после перегрузки составляет 150 нсек, а задержка распространения на выходе усилителя достигает 75 нсек, при ширине выходного сигнала 450 нсек. Усилитель рассчитан на работу в диапазоне температур от -55 до +125° С. Главная матрица интегральных компонентов, используемая в интегральной схеме SN5500, содержит 23 высокочастотных п-р-п транзистора трех различных размеров, 68 резисторов с сопротивлением от 20 ом до 8 ком, имеющих общее сопротивление 104 ком, и диффузионный конденсатор емкостью 120 пф. Главная матрица, применяемая в других линейных интегральных схемах 55-й серии фирмы Texas Instruments, содержит 36 высокочастотных п-р-п транзисторов. Прочитать остальную часть записи »

Малое пробивное напряжение

Малое пробивное напряжениеЕмкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Прочитать остальную часть записи »