Оборудование

Поверхность пластинки

Поверхность пластинкиВ результате испытаний мозаичной матрицы 4×8 было выяснено, что возможно построение памяти на 1000 слов при цикле обращения 150 нсек. Такая система является очень гибкой в отношении изменения требуемой мощности возбуждения.

Прочитать остальную часть записи »

Особенности многослойных плат и панелей машины D37B для ракеты Minuteman

Особенности многослойных плат и панелей машины D37B для ракеты MinutemanПри разработке цифровой вычислительной машины типа D37B для модернизированного варианта межконтинентальной баллистической ракеты Minuteman была выявлена существенная необходимость использования самых современных методов соединений кремниевых интегральных схем. Прочитать остальную часть записи »

Интегральные подсистемы

Интегральные подсистемыИнтегральные подсистемы обеспечат дальнейшее увеличение надежности как за счет снижения числа используемых электронных приборов и упрощения их межсхемных соединений, так и за счет широкого применения в таких интегральных подсистемах внутренней избыточности. Прочитать остальную часть записи »

Маскированная диффузия

Маскированная диффузияНа этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Прочитать остальную часть записи »

Диодно-транзасторная логика (ДТЛ)

Диодно-транзасторная логика (ДТЛ)Типичный клапан ДТЛ образует схему НЕ-И для положительных сигналов или схему НЕ-ИЛИ для отрицательных сигналов. Когда один из выходных транзисторов предыдущих клапанов, подсоединенных ко входам клапана, включен, то потенциал точки А оказывается выше потенциала эмиттера на величину напряжения коллектор — эмиттер этого включенного насыщенного транзистора предыдущего каскада плюс падение напряжения на подсоединенном к этому входу диоде Ml от тока, проходящего через резистор Rb — При этом, благодаря наличию запертых диодов смещения цепи возбуждения базы, выходной транзистор клапана Т будет выключен. Прочитать остальную часть записи »