Оборудование

Структуры интегральных схем

Структуры интегральных схемПроцесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные слои для коллекторных областей транзисторов, которые потом будут изготовлены над ними. Прочитать остальную часть записи »

Выдерживание при высокой температуре

Выдерживание при высокой температуреПри необходимости ремонта подобных соединений удаляют плохую сварку и зачищают верхнюю часть шпильки с помощью напильника. Прочитать остальную часть записи »

Схемы, входящие в состав 52-й серии

Схемы, входящие в состав 52-й серииВо входных каскадах схем SN524 и SN526 используются пары транзисторов, известные под названием пары Дарлингтона, позволяющие получить высокий входной импеданс, равный 1 Мом. Выходной каскад схемы SN526 работает в режиме класса В и использует на выходе эмиттер-ные повторители на транзисторах типов р-п-р и п-р-п. Благодаря этому схема обеспечивает получение перепада напряжения выходного сигнала ±5 в на нагрузке 500 ом. Схема SN525 отличается большим усилением и высокой стабильностью, обеспечивая получение высокого перепада выходного напряжения, составляющего ±9 в. Схемы SN525 и SN526 могут работать при больших уровнях входных сигналов, достигающих ±5 в. Для всех схем используют стандартный плоский коваровый корпус с 10 или 14 выводами, обеспечивающий получение высокой надежности. Прочитать остальную часть записи »

Компоненты интегральных схем

Компоненты интегральных схемМалое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.

Прочитать остальную часть записи »

Изоляция между цепями

Изоляция между цепямиПосле каждого испытания схемы проверялись омметром на непрерывность и межсхемную изоляцию, а также подвергались проверке под микроскопом для обнаружения физических повреждений. Прочитать остальную часть записи »